光刻工艺中光学临近修正方法

摘要

本发明公开了一种光刻工艺中光学临近修正方法,本方法只需插入一对校正线即可改善小尺寸线宽的光刻工艺能力。该方法包含：步骤1，选定一块稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，线宽为C，线宽C的校正线与基准线间距为B；步骤3，预先设定校正线的线宽C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，再调节线宽C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽值C2；步骤5，确定了线宽C2的值，再调节间距值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，进一步得到间距值B2；步骤6，记录此时校正线的线宽值C2及间距值B2，即是校正线的最佳设计值。

主权项

一种光刻工艺中光学临近修正方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，选定一块栅极多晶硅层光刻工艺的稀疏区线宽区域；步骤2，选择一条线为基准线，其线宽为A，在其两侧各增加一根校正线，其线宽为C，线宽C的校正线与基准线之间的间距为B；步骤3，预先设定一个校正线的线宽C的值为C1，然后不断调节间距B，使基准线得到一个最大光刻能力的间距值，记载为B1；步骤4，确定上述的最佳的间距值B1，然后再不断调节校正线的线宽值C1，使基准线得到一个最大光刻能力的最佳的线宽C的值，记载为C2；步骤5，确定了线宽C的进一步取值C2，再调节上述得到的间距B的值B1，使线宽为A的基准线得到一个最大光刻能力，此时得到最佳间距B的值，记载为B2；步骤6，记录此时校正线的线宽C的值C2及间距B的值B2，即得到校正线的最佳设计值。