| 摘要 |
본 발명은 개구율이 높은 반도체 장치 또는 그 제작 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또, 소비 전력이 낮은 반도체 장치 또는 그 제작 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 절연 표면을 갖는 기판 위에 형성된 반도체층과, 반도체층을 덮는 게이트 절연막과, 게이트 절연막 위에 형성된 제 1 도전층과 제 2 도전층으로 적층된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과, 반도체층과 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 배선을 덮는 절연막과, 절연막 위에 형성되고, 반도체층과 전기적으로 접속되며, 제 3 도전층과 제 4 도전층으로 적층된 소스 전극을 포함하는 소스 배선을 갖고, 게이트 전극은 제 1 도전층으로 형성되고, 게이트 배선은 제 1 도전층과 제 2 도전층으로 형성되고, 소스 전극은 제 3 도전층으로 형성되며, 소스 배선은 제 3 도전층과 제 4 도전층으로 형성되어 있다. |
