发明名称 PATTERNING PROCESS AND RESIST COMPOSITION
摘要 본 발명은 산불안정기와 결합하는 질소 원자를 갖는 반복 단위를 함유하는 고분자 화합물과, 산발생제와, 유기 용제를 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열 처리 후에 고에너지선으로 상기 레지스트막을 노광하고, 가열 처리 후에 유기 용제에 의한 현상액을 이용하여 미노광부를 용해시켜, 노광부가 용해되지 않는 네거티브형 패턴을 얻는 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 산불안정기와 결합하는 질소 원자를 갖는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물과 산발생제를 포함하는 레지스트막은, 유기 용제에 의한 현상에 있어서의 포지티브 네거티브 반전의 화상 형성에 있어서, 미노광 부분의 용해성이 높고, 노광 부분의 용해성이 낮은, 즉 용해 콘트라스트가 높고, 산 확산을 억제하는 효과가 매우 높은 특징을 갖는다. 이 레지스트막을 이용하여 도트 패턴 또는 격자형 패턴의 마스크를 사용하여 노광하고, 유기 용제 현상을 행함으로써, 미세한 홀 패턴을 치수 제어 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
申请公布号 KR101708521(B1) 申请公布日期 2017.02.20
申请号 KR20120003877 申请日期 2012.01.12
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 하타케야마 쥰;사게하시 마사요시;와타나베 다케루;가타야마 가즈히로
分类号 G03F7/00;G03F7/004;G03F7/26 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
主权项
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