| 摘要 |
본 발명의 실시 형태에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀 영역이 정의되는 반도체 기판, 상기 복수의 픽셀 영역 각각에서 상기 반도체 기판의 내부에 마련되는 포토 다이오드(Photo Diode, PD), 적어도 일부 영역이 상기 반도체 기판 내에 매립되어 상기 포토 다이오드에 수직하는 방향으로 연장되는 전송 게이트 전극을 갖는 전송 트랜지스터, 및 상기 전송 트랜지스터에 의해 상기 포토 다이오드로부터 전달되는 전하를 축적하며, 상기 전송 게이트 전극을 기준으로 서로 다른 방향에 배치되는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 플로팅 디퓨전을 포함한다, |
