| 摘要 |
【課題】高い量子収率を示し、発光スペクトルの半値幅の狭い狭帯発光し、優れたグラフェン量子ドットを高収率で再現性良く簡便に合成できる新規な手法を提供する。【解決手段】本発明のＧＱＤの製造方法は、 液体ヘテロ原子含有化合物又はヘテロ原子含有化合物を溶解若しくは分散させた液に均一または不均一の貴金属触媒または半導体触媒を添加して加熱することを特徴とする。前記貴金属触媒が、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ及びＲｅ、並びにＰｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ及びＲｅのイオン、並びにＰｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ及びＲｅと遷移金属との合金、のうちのいずれかであり、前記半導体触媒が、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎ並びにＳｉ、Ｇｅ及びＳｎの酸化物のうちのいずれかである。【選択図】 図１ |
