インターポーザー用基板及びその製造方法

摘要

【課題】半導体装置の高放熱化、高速対応化に有用で、半導体チップ等の搭載が容易であり、かつ配線基板や半導体チップに強固に接合できるインターポーザー用基板を提供する。【解決手段】厚さ２０〜４００μｍの単結晶シリコン基板と、該単結晶シリコン基板上に、窒化シリコン又は酸窒化シリコンからなるシリコン含有無機薄膜と、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム又は窒化シリコンからなる厚さ１〜１００μｍの熱伝導性の絶縁層とがこの順番で積層されたインターポーザー用基板である。【選択図】図３