半導体素子

摘要

半導体素子、例えばショットキーバリアダイオードにおける、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善する。ｐ型半導体部位１４は、互いに不純物濃度が異なるｐ＋型半導体部（第一濃度部）１４ａと、ｐ−型半導体部（第二濃度部）１４ｂとからなる。そして、ｐ＋型半導体部１４ａの一部に対して、金属部位１３は、その側面１３Ｓの一部とこれに連結する底面１３Ｂの一部とが接している。また、ｐ−型半導体部１４ｂは、その側面１４ｂＳの少なくとも一部が、ｐ＋型半導体部１４ａの側面１４ａＳと接している。