| 摘要 |
基板が通過している途中でプラズマが着火しても均一に成膜できるように、反応容器内に回転自在に設けられた基板載置台上に回転方向に沿って複数の基板２００を載置する工程、第１処理領域２０１ａに第１元素含有ガスの供給を開始する工程と、第２処理領域２０１ｂに第２元素含有ガスの供給を開始する工程と、前記第２処理領域２０１ｂ内に設けられたプラズマ生成部２０６により、前記第２元素含有ガスのプラズマを第１活性度で生成を開始する第１工程と、前記回転によって前記複数の基板２００を順次、前記第１処理領域２０１ａと前記第２処理領域２０１ｂとを所定回数交互に通過させて、前記第１処理領域２０１ａで第１元素含有層を形成し、前記第２処理領域２０１ｂで前記第１活性度よりも高い第２活性度のプラズマを生成して前記第１元素含有層を改質し、前記第１及び第２元素を含有する薄膜を形成する第２工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。 |
