半導体装置

摘要

半導体基板上に形成された第１の配線及び第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に第１のビアを介して第１の配線と接続するように形成された第２の配線と、第２の配線上に形成された第１の有機絶縁膜と、第１の有機絶縁膜中に第２の配線と接続するように形成された第２のビアと、第１の有機絶縁膜上に第２のビアを介して第２の配線と接続するように形成された第３の配線と、第１の有機絶縁膜上に形成された第２の有機絶縁膜とを有している。第２の有機絶縁膜には、第３の配線を露出するパッド開口部が設けられている。