サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成方法

摘要

本発明の課題は、従来よりもサファイア育成のコストを低減可能な構造のサファイア単結晶育成用坩堝を提供することにある。本発明のサファイア単結晶育成用坩堝は、タングステンと不可避不純物で構成されるか、もしくはタングステンを３質量％以上６０質量％以下含むタングステン−モリブデン合金と不可避不純物で構成され、円筒部と、前記円筒部に連なるつなぎ目なしの底部を有し、少なくとも内周が、最大高さＲｙが７μｍ以下、算術平均粗さＲａが１μｍ以下の表面粗さである。