CMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS器件的制造方法，包括：形成浅沟槽场氧，阱区。依次生长栅氧化层、多晶硅层并对多晶硅层进行N型和P型离子注入，光刻刻蚀形成栅极；栅极包括相接触的第一栅极和第二栅极。形成源漏区。形成层间膜；光刻刻蚀形成长条形接触孔，长条形接触孔跨过第一栅极和第二栅极的接触界面实现和第一栅极和第二栅极同时接触。本发明能省略采用金属硅化物实现NMOS和PMOS器件的栅极互联的步骤，从而能减少接触孔和栅极之间的寄生电阻和电容、提供器件的速度，能消除PMOS器件的栅极的硼掺杂浓度减淡以及硼减淡引起的多晶硅耗尽的问题，能消除在接触孔形成之前引入金属元素从而能提高器件的可靠性。

主权项

一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、利用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成浅沟槽，由所述浅沟槽定义出有源区；在所述浅沟槽中填充氧化硅形成浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧对所述有源区进行隔离；步骤二、进行离子注入形成CMOS器件的阱区，所述CMOS器件的阱区包括用于形成NMOS器件的P型阱区和用于形成PMOS器件的N型阱区，所述P型阱区形成于第一有源区中，所述N型阱区形成于第二有源区中，所述第一有源区和所述第二有源区之间隔离的所述浅沟槽场氧为第一浅沟槽场氧；步骤三、在所述硅衬底的正面依次生长栅氧化层、多晶硅层，在所述多晶硅层的选定区域中分别进行N型离子注入和P型离子注入并分别形成N型多晶硅层和P型多晶硅层，并利用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀形成所述CMOS器件的栅极；所述栅极包括所述NMOS器件的第一栅极和所述PMOS器件的第二栅极，所述第一栅极由刻蚀后的N型多晶硅层组成、所述第二栅极由刻蚀后的P型多晶硅层组成；所述第一栅极覆盖于所述第一有源区上方、且被所述第一栅极所覆盖的所述P型阱区表面用于形成所述NMOS器件的沟道；所述第二栅极覆盖于所述第二有源区上方、且被所述第二栅极所覆盖的所述N型阱区表面用于形成所述PMOS器件的沟道，所述第一栅极和所述第二栅极还分别延伸到所述第一浅沟槽场氧表面上并相接触；步骤四、在所述第一栅极两侧的所述第一有源区中形成所述NMOS器件的N型源漏区，在所述第二栅极两侧的所述第二有源区中形成所述PMOS器件的P型源漏区；步骤五、在所述栅极以及所述栅极外侧的所述有源区和所述浅沟槽场氧表面形成层间膜；采用光刻刻蚀工艺对所述层间膜进行刻蚀形成长条形接触孔，所述长条形接触孔位于所述第一栅极和所述第二栅极的上方并跨过所述第一栅极和所述第二栅极的接触界面实现和所述第一栅极和所述第二栅极同时接触。