光电探测元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种可接收 800~900 nm 波长，且含有可实现小型化及批量生产的带通过滤层的光电探测元件及其制作方法，其特征为包括由第 1 传导类型的半导体材料组成的第 1 导电型半导体层、与上述第 1 导电型半导体层形成 pn 结并由与第 1 传导类型相反的第 2 传导类型的半导体材料形成的第 2 导电型半导体层以及为反射小于 800 nm 大于 900 nm 的波长在上述第 2 导电型半导体层沉积 Ti02/Si02 介质膜而形成的带通过滤层。

主权项

一种光电探测元件，其特征在于包括由第 1 传导类型的半导体材料形成的第 1 导电型半导体层，与上述第 1 导电型半导体层形成 pn 结，由与上述第 1 传导类型相反的第 2 传导类型的半导体材料形成的第 2 导电型半导体层，为反射除特定范围波长以外的波长，在上述第 2 导电型半导体层上沉积 TiO₂/SiO₂介质膜形成的带通过滤层；其中，上述特定范围波长为 550~780 nm，上述带通过滤层厚度为 2978 nm；或者，上述特定范围波长为 470~625 nm，上述带通过滤层厚度为 2137 nm；或者，上述特定范围波长为 400~500 nm，上述带通过滤层厚度为 2811 nm；或者，上述特定范围波长为 400~700 nm，上述带通过滤层厚度为 4302 A；或者，上述特定范围波长为 800~900 nm，上述带通过滤层厚度为 4 µm。