用于自旋动量转移磁阻随机存取存储器的具有垂直磁各向异性的磁性叠层

摘要

一种磁隧道结（MTJ），包括：具有可变磁化方向的磁性自由层；与所述自由层相邻的绝缘隧道势垒层；具有不可变磁化方向的磁性固定层，所述固定层被设置为与所述隧道势垒层相邻以使得所述隧道势垒层位于所述自由层与所述固定层之间，其中所述自由层和所述固定层具有垂直磁各向异性；以及下述中的一者或多者：复合固定层，所述复合固定层包括防尘层、隔离物层和基准层；合成反铁磁性（SAF）固定层结构，所述SAF固定层结构包括位于所述固定层与第二固定磁性层之间的SAF隔离物；以及偶极层，其中所述自由层位于所述偶极层和所述隧道势垒层之间。

主权项

一种用于磁性随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结(MTJ)，包括：具有可变磁化方向的磁性自由层；与所述自由层相邻的绝缘隧道势垒层；具有不可变磁化方向的磁性固定层，所述固定层被设置为与所述隧道势垒层相邻以使得所述隧道势垒层位于所述自由层与所述固定层之间，其中所述自由层和所述固定层具有垂直磁各向异性，所述固定层包括防尘层、隔离物层和基准层，其中所述隔离物层位于所述基准层与所述隧道势垒层之间，并且其中所述防尘层位于所述隔离物层与所述隧道势垒层之间，其中所述防尘层和所述基准层通过所述隔离物而磁性耦合并且具有垂直磁各向异性；合成反铁磁性(SAF)固定层结构，所述SAF固定层结构包括位于所述固定层与第二固定磁性层之间的SAF隔离物，其中所述固定层和所述第二固定磁性层通过所述SAF隔离物反平行地耦合；以及偶极层，其中所述自由层位于所述偶极层与所述隧道势垒层之间。