发明名称 |
一种新型晶体硅太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种新型晶体硅太阳能电池,包括衬底、多晶硅薄膜,衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层,钝化层表面设有氧化硅薄膜,氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极;上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层,多晶硅薄膜上设有P‑N结,衬底设置在背面AI电极上;所述背面AI电极与衬底之间设有背面ZnO基薄膜层,P型硅基体层与多晶硅薄膜之间设有正面ZnO基薄膜层,所述正面ZnO基薄膜层、背面ZnO基薄膜层均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜,所述背面AI电极为线状电极,所述背面ZnO基薄膜层的厚度为45—100纳米,所述正面ZnO基薄膜层的厚度为30—100纳米。本实用新型提高太阳能电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN205960001U |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201620910963.X |
申请日期 |
2016.08.22 |
申请人 |
四川英发太阳能科技有限公司 |
发明人 |
张杰 |
分类号 |
H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/068(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种新型晶体硅太阳能电池,其特征在于,包括衬底(2)、多晶硅薄膜(6),衬底(2)与多晶硅薄膜(6)之间设有钝化层(3),钝化层(3)表面设有氧化硅薄膜(4),氧化硅薄膜(4)与多晶硅薄膜(6)之间设有上电极(5);上电极(5)与多晶硅薄膜(6)之间设有P型硅基体层(8),多晶硅薄膜(6)上设有P‑N结,衬底(2)设置在背面AI电极(1)上;所述背面AI电极(1)与衬底(2)之间设有背面ZnO基薄膜层(7),P型硅基体层(8)与多晶硅薄膜(6)之间设有正面ZnO基薄膜层(9),所述正面ZnO基薄膜层(9)、背面ZnO基薄膜层(7)均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜,所述背面AI电极为线状电极,所述背面ZnO基薄膜层(7)的厚度为45—100纳米,所述正面ZnO基薄膜层(9)的厚度为30—100纳米。 |
地址 |
610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区天威路1号 |