发明名称 |
一种SOD323HE高密度引线框架 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。该框架将2列芯片安装单元为一组进行布置,且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,节省框架的安装空间,进而提高材料的利用率。 |
申请公布号 |
CN205959979U |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201621018669.4 |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
成都先进功率半导体股份有限公司 |
发明人 |
罗天秀;樊增勇;张明聪;周杰;吴子斌;许兵;任伟;李宁 |
分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
代理机构 |
四川力久律师事务所 51221 |
代理人 |
王芸;熊晓果 |
主权项 |
一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区科新路8号 |