发明名称 一种SOD323HE高密度引线框架
摘要 本实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。该框架将2列芯片安装单元为一组进行布置,且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,节省框架的安装空间,进而提高材料的利用率。
申请公布号 CN205959979U 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201621018669.4 申请日期 2016.08.31
申请人 成都先进功率半导体股份有限公司 发明人 罗天秀;樊增勇;张明聪;周杰;吴子斌;许兵;任伟;李宁
分类号 H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 王芸;熊晓果
主权项 一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。
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