发明名称 顶部金属堆叠封装结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种顶部金属堆叠封装结构及其制造方法,该顶部金属堆叠封装结构包括:一金属基底,包含一上表面以及一下表面,且一芯片接收腔室形成于该上表面;一第一芯片,借助一第一结合层以固定于该芯片接收腔室;一基板,具有一上表面;一第二芯片,借助一第二结合层以固定于该基板的该上表面;以及多个连接元件,形成于该基板的该上表面;其中,借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。由此,该结构及方法可增进堆叠封装结构的散热效果及金属屏蔽。
申请公布号 CN106409779A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610157424.8 申请日期 2016.03.18
申请人 东琳精密股份有限公司 发明人 林殿方
分类号 H01L23/14(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/14(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种顶部金属堆叠封装结构,包括:一金属基底,包含一上表面以及一下表面,且一芯片接收腔室形成于该上表面上;一第一芯片,借助一第一结合层以固定于该芯片接收腔室;一基板,具有一上表面;一第二芯片,借助一第二结合层以固定于该基板的该上表面;以及多个连接元件,形成于该基板的该上表面;其中,借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。
地址 中国台湾苗栗县