| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法首先提供一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，然后形成多个鳍状结构以及一第一浅沟隔离围绕鳍状结构于第一区域与第二区域上。接着形成一图案化硬掩模于第二区域上、去除第一区域内的鳍状结构及第一浅沟隔离、形成一第二浅沟隔离于第一区域上、去除图案化硬掩模以及形成一栅极结构于第二浅沟隔离上。 | ||
| 申请公布号 | CN106409748A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201510466862.8 | 申请日期 | 2015.08.03 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘恩铨;杨智伟;童宇诚;吴俊元 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底具有第一区域与第二区域；形成多个鳍状结构以及一第一浅沟隔离围绕该多个鳍状结构在该第一区域与该第二区域上；形成一图案化硬掩模于该第二区域上；去除该第一区域内的该多个鳍状结构及该第一浅沟隔离；形成一第二浅沟隔离于该第一区域上；去除该图案化硬掩模；以及形成一栅极结构于该第二浅沟隔离上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||