发明名称 | 一种复合微机械电容式超声换能器 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种复合微机械电容式超声换能器,提供了一种复合微机械电容式超声换能器包括CMUT的低频结构和CMUT的高频结构;所述的CMUT的低频结构与CMUT的高频结构键合。本实用新型通过在不同的硅片上分别获得CMUT的高频结构和低频结构,使得复合CMUT结构得以实现;并采用双SOI硅片,CMUT的振动弹性膜的平面度达到纳米量级,同时,CMUT的真空腔体的底部平面度同样可以达到纳米量级,增加CMUT的频宽,能有效地提高传感器的灵敏度。 | ||
申请公布号 | CN205949255U | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
申请号 | CN201620866657.0 | 申请日期 | 2016.08.11 |
申请人 | 河南大学 | 发明人 | 张培玉;李妍;敖天勇;高尚 |
分类号 | B06B1/02(2006.01)I | 主分类号 | B06B1/02(2006.01)I |
代理机构 | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人 | 刘建芳 |
主权项 | 一种复合微机械电容式超声换能器,其特征在于:包括CMUT的低频结构和CMUT的高频结构,所述的CMUT的低频结构包括由第一电极和振动薄膜的支撑体,二者通过绝缘层隔离设置;所述的第一电极上衬底为硼重参杂衬底,所述第一电极上设置有CMUT低频腔体;所述的CMUT的高频结构包括振动薄膜层和设置在振动薄膜层两面的第二电极、高频腔体支承墙,高频腔体支承墙与振动薄膜层形成高频腔体;所述的CMUT的低频结构与CMUT的高频结构键合,且振动薄膜的支撑体与振动薄膜构成低频真空腔体,所述的高频腔体支承墙设置在低频真空腔体内,而第二电极设置在低频真空腔体外。 | ||
地址 | 475001 河南省开封市明伦街85号 |