| 摘要 |
본 개시내용의 실시예들은 집적 회로(IC) 디바이스의 금속들 간의 선택적 확산 장벽과, 연관된 기술들 및 구성들을 기술한다. 일 실시예에서, 장치는 유전성 재료, 유전성 재료에 배치되는 제1 금속을 포함하는 제1 인터커넥트 구조체, 유전성 재료에 배치되고 제1 인터커넥트 구조체와 전기적으로 결합되는 제2 금속을 포함하는 제2 인터커넥트 구조체, 및 제1 인터커넥트 구조체와 제2 인터커넥트 구조체 사이의 계면에 배치되는 확산 장벽을 포함하고, 제1 금속 및 제2 금속은 상이한 화학적 조성을 가지며, 확산 장벽의 재료 및 제2 금속은 상이한 화학적 조성을 가지고, 확산 장벽의 재료는 제2 금속과 유전성 재료 사이에 바로 배치되지 않는다. 다른 실시예들이 설명되고/되거나 청구된다. |
