发明名称 高密度线路芯片封装工艺
摘要 高密度线路芯片封装工艺,涉及半导体封装工艺技术领域,其包括以下步骤:电镀:依照芯片的线路的图案在铜基板正面电镀形成电镀层,该电镀层作为所述线路,依照外脚的图案在铜基板背面电镀形成外脚电镀层;粘晶通电:粘接晶粒并在晶粒与所述线路的焊位之间焊线以实现电连接;塑封:在铜基板正面注塑形成塑胶保护层;制作外脚:从铜基板背面蚀刻铜基板,将铜基板的未被外脚电镀层覆盖的部分蚀去,铜基板的被外脚电镀层覆盖的未被蚀去的部分以及外脚电镀层作为外脚。
申请公布号 CN106409689A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610871160.2 申请日期 2016.09.30
申请人 乐依文半导体(东莞)有限公司 发明人 林英洪;林永强;胡冠宇
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 张艳美;龙莉苹
主权项 高密度线路芯片封装工艺,其特征是,包括以下步骤:电镀:依照芯片的线路的图案在铜基板正面电镀形成电镀层,该电镀层作为所述线路,依照外脚的图案在铜基板背面电镀形成外脚电镀层;粘晶通电:粘接晶粒并在晶粒与所述线路的焊位之间焊线以实现电连接;塑封:在铜基板正面注塑形成塑胶保护层;制作外脚:从铜基板背面蚀刻铜基板,将铜基板的未被外脚电镀层覆盖的部分蚀去,铜基板的被外脚电镀层覆盖的未被蚀去的部分以及外脚电镀层作为外脚。
地址 523000 广东省东莞市长安镇振安科技工业园