| 发明名称 | 基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法，包括以下步骤：S1：选择一基板；S2：在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层，在形成布线层时，根据芯片在所述布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽，并将芯片安装于所述埋置槽中；S3：将芯片与布线层进行互连。并根据芯片位于布线层的位置具体分为芯片先置型埋入、芯片中置型埋入及芯片后置型埋入三种情况。本发明基于激光纳米加工技术，为芯片埋置提供了高效率与高精度的加工方法，解决了化学方法周期长程序繁琐的问题，实现芯片在基板或布线层埋置及互连的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106409690A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610873911.4 | 申请日期 | 2016.09.29 |
| 申请人 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 发明人 | 罗燕;张诚;丁蕾;吴毓颖;王立春 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 胡晶 |
| 主权项 | 一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择一基板；S2：在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层，在形成布线层时，根据芯片在所述布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽，并将芯片安装于所述埋置槽中；S3：将芯片与布线层进行互连。 | ||
| 地址 | 200082 上海市杨浦区齐齐哈尔路76号 | ||