| 发明名称 | QLED的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种QLED的制备方法，在电子传输层上沉积发光层之前，对所述电子传输层进行表面处理，包括以下步骤：将所述电子传输层进行氧气等离子体预处理或臭氧处理、以及紫外灯辐射处理，其中，所述紫外灯辐射处理的光子能量大于电子传输材料的有效能带隙。本发明QLED的制备方法，可以有效减少电子传输层材料表面缺陷的浓度、去除有机残留杂质，从而减少电子传输层表面缺陷对激子的淬灭，进而有效地提高QLED器件的发光效率和使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN106409995A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610971260.2 | 申请日期 | 2016.11.01 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 黄志云 |
| 主权项 | 一种QLED的制备方法，其特征在于，在电子传输层上沉积发光层之前，对所述电子传输层进行表面处理，包括以下步骤：将所述电子传输层进行氧气等离子体预处理或臭氧处理、以及紫外灯辐射处理，其中，所述紫外灯辐射处理的光子能量大于电子传输材料的有效能带隙。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||