发明名称 COMPOUND POLYMER COMPOUND RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
摘要 [과제] 고해상도이고 고감도이며, LWR나 CDU 등의 리소그래피 성능의 밸런스가 우수한 레지스트 조성물의 베이스 수지로서, 적합하게 이용되는 고분자 화합물의 원료로서 적합한 화합물을 제공한다. [해결 수단] 하기 일반식(1)로 표시되는 화합물.(식 중, R은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. A는 단결합 또는 헤테로 원자가 개재해도 좋은 탄소수 1∼30의 직쇄형, 또는 탄소수 3∼30의 분기형 또는 환형의 2가 탄화수소기를 나타내고, 이 탄화수소기 중의 수소 원자의 일부 또는 전부는 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋다. n은 0 또는 1을 나타낸다. 단 A가 단결합인 경우, n은 반드시 0이다. M는 양이온을 나타낸다.)
申请公布号 KR20170017727(A) 申请公布日期 2017.02.15
申请号 KR20160095365 申请日期 2016.07.27
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 오하시 마사키;하타케야마 준;후쿠시마 마사히로;후지와라 다카유키
分类号 C07C309/02;C07D493/06;C07D493/14;C08F20/38;G03F1/22;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/40 主分类号 C07C309/02
代理机构 代理人
主权项
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