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一种基于开关频率调节的提升机变频器IGBT超温闭环保护方法，其特征在于，具体步骤为：步骤一：IGBT结电阻的检测；步骤二：计算IGBT结温；其公式为：IGBT损耗由导通损耗和开关损耗组成，即P<sub>T</sub>＝P<sub>con,T</sub>+P<sub>sw,T</sub>；初始饱和压降表示为：v<sub>0,T</sub>＝v<sub>0,T_25℃</sub>+K<sub>v0,T</sub>(T<sub>vj,T</sub>‑25℃)，导通电阻表示为：r<sub>T</sub>＝r<sub>T_25℃</sub>+K<sub>r,T</sub>(T<sub>vj,T</sub>‑25℃)；导通损耗表示为：P<sub>con,T</sub>＝v<sub>0,T</sub>I+r<sub>T</sub>I<sup>2</sup>，IGBT的开关能量损耗表示为：<img file="FDA0001117566480000011.GIF" wi="1141" he="253" />在一个开关周期内，IGBT的平均开关损耗表示为：P<sub>sw,T</sub>＝f<sub>sw</sub>E<sub>sw,T</sub>(I)；E<sub>on,T</sub>(I)表示IGBT开通损耗；E<sub>off,T</sub>(I)表示IGBT关断损耗；所述v<sub>0,T_25℃</sub>为IGBT在25℃结温下的初始饱和压降；所述r<sub>T_25℃</sub>为IGBT在25℃结温下的导通电阻；所述K<sub>v0,T</sub>为IGBT初始饱和压降的温度修正系数，为负值；所述K<sub>r,T</sub>为IGBT导通电阻的温度修正系数，为负值；所述T<sub>vj,T</sub>为IGBT的结温；所述I为流过IGBT的瞬时电流值；所述A<sub>sw,T</sub>和B<sub>sw,T</sub>和C<sub>sw,T</sub>为测试条件下开关能量损耗随电流变化的二次拟合曲线系数；所述D<sub>sw,T</sub>为测试电压U<sub>base</sub>的修正系数；所述K<sub>sw,T</sub>为测试结温T<sub>base</sub>的修正系数；所述U<sub>ce</sub>为器件实际承受电压；所述f<sub>sw</sub>为开关频率；步骤三：开关频率调节。 |
