| 发明名称 | 具有调制的纳米线数目的半导体器件 | ||
| 摘要 | 描述了具有调制纳米线数目的半导体器件和形成这种器件的方法例如，半导体结构包括第一半导体器件，第一半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第一最高纳米线的第一垂直平面中叠置的多个纳米线。第二半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第二最高纳米线的第二垂直平面中叠置的一个或多个纳米线。第二半导体器件包括比第一半导体器件少一个或多个的纳米线。第一和第二最高纳米线设置于与第一和第二垂直平面正交的平面中。 | ||
| 申请公布号 | CN104126221B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201180076435.9 | 申请日期 | 2011.12.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | A·卡佩拉尼;K·J·库恩;R·里奥斯;G·比马拉塞蒂;T·加尼;S·金 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;夏青 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件包括设置于衬底上方并且在具有第一最高纳米线的第一垂直平面中叠置的多条纳米线；以及第二半导体器件，所述第二半导体器件包括设置于所述衬底上方并且在具有第二最高纳米线的第二垂直平面中叠置的一条或多条纳米线，所述第二半导体器件包括比所述第一半导体器件少一条或多条的纳米线，并且所述第一最高纳米线和第二最高纳米线设置于与所述第一垂直平面和第二垂直平面正交的同一平面中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||