| 发明名称 | 陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO<sub>3</sub>系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m<sup>2</sup>／g以上、8.0m<sup>2</sup>／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103608881B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201280028203.0 | 申请日期 | 2012.06.18 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 川本光俊;佐野笃史;石川达也;小林靖知;藤田吉宏;木村祐树;草野雄一 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李逸雪 |
| 主权项 | 一种半导体陶瓷电容器，具备：层叠体，其具有被层叠的多个半导体陶瓷层、和沿着上述半导体陶瓷层间的界面形成并以Ni为主成分的多个内部电极；以及外部电极，其设于上述层叠体的两端部，并与上述内部电极电连接，上述半导体陶瓷电容器的特征在于，上述半导体陶瓷层是通过对用于SrTiO<sub>3</sub>系晶界绝缘型半导体陶瓷的陶瓷粉末进行烧结而成，上述陶瓷粉末的比表面积在4.0m<sup>2</sup>/g以上、8.0m<sup>2</sup>/g以下，累积90％粒径D90在0.85μm以上1.10μm以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||