| 发明名称 | MOS传输晶体管和包括其的电平移位器 | ||
| 摘要 | 一种MOS传输晶体管，包括：半导体层，具有第一导电性；沟槽隔离层，设置在半导体层中以限定第一有源区和第二有源区；第一结区，具有第二导电性，设置在第一有源区中，以及与沟槽隔离层的第一侧壁接触；第二结区，具有第二导电性，设置在第二有源区中，与沟槽隔离层的第二侧壁接触，以及与第一结区间隔开；以及栅电极，设置在沟槽隔离层之上。栅电极的下部从沟槽隔离层的顶表面延伸入沟槽隔离层至预定深度。 | ||
| 申请公布号 | CN106409904A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610091963.6 | 申请日期 | 2016.02.19 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴圣根 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种MOS传输晶体管，包括：半导体层，具有第一导电性；沟槽隔离层，设置在半导体层中以限定第一有源区和第二有源区；第一结区，具有第二导电性，设置在第一有源区中，并且与沟槽隔离层的第一侧壁接触；第二结区，具有第二导电性，设置在第二有源区中，与沟槽隔离层的第二侧壁接触，并且与第一结区间隔开；以及栅电极，设置在沟槽隔离层之上，其中，栅电极的下部从沟槽隔离层的顶表面延伸入沟槽隔离层至预定深度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||