一种金属栅的形成方法

摘要

一种金属栅的形成方法，包括：第一步骤：提供形成NMOS区域和PMOS区域的衬底，在NMOS区域和PMOS区域上分别形成伪栅极多晶硅结构，其中伪栅极多晶硅结构侧部形成有侧壁，在硅衬底表面和侧壁侧部形成氮化硅层，并且在氮化硅层上形成层间介质层；第二步骤：去除伪栅极多晶硅结构；第三步骤：在NMOS区域和PMOS区域上生长介质层、高介电常数层和覆盖层的叠层；第四步骤：在叠层上生长TiN层，并且在所述TiN层上沉积TaN层；第五步骤：去除NMOS区域上的TiN层和TaN层；第六步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积TiAl层，并且在TiAl层上沉积TiN阻挡层和可湿性钛涂层的组合层；第七步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积Al金属；第八步骤：在NMOS区域和PMOS区域执行化学机械研磨以露出层间介质层。

主权项

一种金属栅的形成方法，其特征在于包括：第一步骤：提供形成NMOS区域和PMOS区域的衬底，在NMOS区域和PMOS区域上分别形成伪栅极多晶硅结构，其中伪栅极多晶硅结构侧部形成有侧壁，在硅衬底表面和侧壁侧部形成氮化硅层，并且在氮化硅层上形成层间介质层；第二步骤：去除伪栅极多晶硅结构；第三步骤：在NMOS区域和PMOS区域上生长介质层、高介电常数层和覆盖层的叠层；第四步骤：在叠层上生长TiN层，并且在所述TiN层上沉积TaN层；第五步骤：去除NMOS区域上的TiN层和TaN层；第六步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积TiAl层，并且在TiAl层上沉积TiN阻挡层和可湿性钛涂层的组合层；第七步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积Al金属；第八步骤：在NMOS区域和PMOS区域执行化学机械研磨以露出层间介质层。