| 摘要 |
본 발명은 고분자 기판 상의 금속 산화물 박막에 대한 분동추를 이용한 어닐링(counterpoise-assisted annealing) 방법에 관한 것이고, 또한 고분자 기판 상의 금속 산화물 박막에 분동추를 이용한 어닐링을 적용하여 상기 고분자 기판의 휨(bending)을 조절하고 금속 산화물 박막의 결정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 제조된 금속 산화물 박막은 곡률 반경이 커질 수 있고, 비저항이 현저히 낮아질 수 있으며, 우수한 광학적 및 전기적 특성을 나타낼 수 있다. |
