发明名称 CLEANING METHOD METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM
摘要 본 발명은, 성막 처리를 행한 후, 처리실 내 및 노즐 내에 부착된 퇴적물을 각각 제거한다. 본 발명의 해결 수단으로서, 제1 온도로 가열된 처리실 내로, 제1 온도로 가열된 제1 노즐로부터 불소계 가스를 공급함과 함께 제1 온도로 가열된 제2 노즐로부터 산화질소계 가스를 공급함으로써, 처리실 내의 부재의 표면에 퇴적된 막을 포함하는 퇴적물을 열화학 반응에 의해 제거하는 제1 클리닝 공정과, 처리실 내의 온도를 제1 온도보다도 높은 제2 온도로 변경하는 공정과, 제2 온도로 가열된 처리실 내로, 제2 온도로 가열된 제1 노즐로부터 불소계 가스를 공급함으로써, 퇴적물 제거 후에 처리실 내의 부재의 표면에 잔류된 물질을 열화학 반응에 의해 제거함과 함께, 제1 노즐 내에 부착된 퇴적물을 열화학 반응에 의해 제거하는 제2 클리닝 공정을 갖는다.
申请公布号 KR101705966(B1) 申请公布日期 2017.02.13
申请号 KR20150022988 申请日期 2015.02.16
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 가메다, 겐지;야마모토, 류지;우라노, 유지
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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