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发明名称
Memory device
摘要
본 발명은 자유층, 터널 배리어 및 고정층을 포함하는 자기 터널 접합을 포함하고, 상기 자유층이 서로 다른 방향의 자화를 갖는 적어도 두층으로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
申请公布号
KR101705125(B1)
申请公布日期
2017.02.13
申请号
KR20150045171
申请日期
2015.03.31
申请人
한양대학교 산학협력단
发明人
박재근;이승은
分类号
H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10
主分类号
H01L43/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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