| 摘要 |
본 발명은 반도체 광검출기에서 상대적으로 낮은 전압을 인가하면서도, 높은 이득을 성취하여, 수신감도를 증가시키고, 고속 특성을 가질 수 있는 실리콘 기판 기반의 게르마늄 반도체 광검출기를 제공한다. 실리콘 기판상에 게르마늄 기반의 증폭 층, 즉 단일 게르마늄 층이나 게르마늄/실리콘 초격자층을 적용하고, 그 상부에 게르마늄 챠지 층을 적용하며, 상기 챠지 층 상에 게르마늄 광 흡수 층을 적용하고, 상기 광흡수층 상의 폴리실리콘 제2 콘택 층을 적용한다. 또한 여기서 광흡수층은 게르마늄 양자점/양자선 층을 적용할 수도 있다. |
