Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces

摘要

기판의 제2의, 유전체 표면에 대하여 기판의 제1 금속 또는 금속성 표면 상에 물질을 선택적으로 퇴적하기 위한, 또는 제2 실리콘 산화물 표면에 대하여 기판의 제1 금속 산화물 표면 상에 금속 산화물들을 선택적으로 퇴적하기 위한 방법들이 제공된다. 상기 선택적으로 퇴적된 물질은 예를 들어, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 실리사이드, 금속 탄화물 및/또는 유전체 물질일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 금속 또는 금속성 표면 및 제2 유전체 표면을 포함하는 기판이 제1 기상 금속 할라이드 반응물 및 제2 반응물과 교대로 그리고 순차적으로 접촉된다. 일부 실시예들에서, 제1 금속 산화물 표면 및 제2 실리콘 산화물 표면을 포함하는 기판이 제1 기상 금속 플루오라이드 또는 클로라이드 반응물 및 물과 교대로 그리고 순차적으로 접촉된다.