发明名称 GATE PROTECTION CAPS AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要 구조물은 기판, 기판 상부에 있는 게이트 구조물, 기판 상부에 있는 유전체층, 및 게이트 구조물의 게이트 전극 상부에 있는 캡을 포함한다. 유전체층의 상면 및 게이트 전극은 동일 평면 상에 있다. 게이트 구조물은 제 1 게이트 구조물 측벽과 제 2 게이트 구조물 측벽 사이에 게이트 측면 거리만큼 연장한다. 캡은 제 1 캡 측벽과 제 2 캡 측벽 사이에서 연장한다. 제 1 캡 부분은 게이트 구조물의 중간선으로부터 측면 방향으로 제 1 게이트 구조물 측벽을 향하여 제 1 캡 측벽까지 제 1 캡 측면 거리만큼 연장하고, 제 2 캡 부분은 중간선으로부터 측면 방향으로 제 2 게이트 구조물 측벽을 향하여 제 2 캡 측벽까지 제 2 캡 측면 거리만큼 연장한다. 제 1 캡 측면 거리 및 제 2 캡 측면 거리는 게이트 측면 거리의 적어도 1/2이다.
申请公布号 KR101706427(B1) 申请公布日期 2017.02.13
申请号 KR20140161875 申请日期 2014.11.19
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 린 치한;린 지중;창 민청;첸 차오청
分类号 H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/02 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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