发明名称 p ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR COMPRISING GALLIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 본 발명은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.
申请公布号 KR101705406(B1) 申请公布日期 2017.02.10
申请号 KR20140120365 申请日期 2014.09.11
申请人 경희대학교 산학협력단 发明人 장진;김정기;크리스토프 빈센트 아비스
分类号 H01L51/50;C09K11/06;H01L51/52;H01L51/56 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人
主权项
地址