发明名称 |
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
摘要 |
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das Bauelement umfasst – eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren, – zumindest eine Stromaufweitungsschicht an einer Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Stromaufweitungsschicht über eine Haftschicht mit einer Kontaktstruktur elektrisch leitend verbunden ist. Die Haftschicht umfasst ein Titanoxid, wobei in dem Titanoxid der Sauerstoff die Oxidationsstufe WO mit WO = –2 und das Titan die Oxidationsstufe WT mit 0 < WT < +4 aufweist. |
申请公布号 |
DE102015112879(A1) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
申请号 |
DE201510112879 |
申请日期 |
2015.08.05 |
申请人 |
OSRAM Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
Ikonomov, Julian;Lemberger, Martin;Muermann, Björn |
分类号 |
H01L33/42;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L33/42 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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