| 摘要 |
Eine Resistschicht wird auf eine Metallschicht, die an einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, aufgebracht unter Verwendung eines positiven Photoresists, der eine Fotoempfindlichkeit bezüglich wenigstens einer Wellenlänge hat. Die Resistschicht wird einem Licht ausgesetzt, das einen Bereich der einen Wellenlänge umfasst. Die belichtete Resistschicht wird entwickelt. Nach dem Schritt der Entwickelung der Resistschicht wird die Metallschicht in einer Ätzvorrichtung einem Nassätzen unterworfen, wobei die Resistschicht als eine Maske verwendet wird. Die Ätzvorrichtung (80) wird in einer Umgebung (YR) angeordnet, die mit einer Beleuchtungsvorrichtung (90) beleuchtet wird, das Licht (YL) ohne eine Wellenlänge gleich der einen oder kürzer als die eine Wellenlänge erzeugt. |
