| 摘要 |
【課題】性能を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】基体ＳＢ１と、基体上に形成された多結晶シリコン層ＰＳと、多結晶シリコン層上に形成された絶縁層ＢＯＸと、絶縁層上に形成された半導体層Ｌ１と、を有するＳＯＩ基板ＳＢの半導体層Ｌ１に光導波路ＷＯ１、ＷＯ２、ＷＯ３を設ける。このように、絶縁層ＢＯＸの下に多結晶シリコン層ＰＳを配置することで、絶縁層ＢＯＸを薄くすることができる。多結晶シリコン層ＰＳは、複数のグレイン（単結晶Ｓｉよりなる粒子の塊）を有するため、絶縁層ＢＯＸを超えて光のしみだしが生じた場合でも、光の反射（拡散）を抑制することができる。また、絶縁層ＢＯＸの下に多結晶シリコン層ＰＳを配置することで、絶縁層ＢＯＸを薄くすることができ、基板の歪みを抑制することができる。【選択図】図１ |
