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Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherbausteins mit nm-Speicherzellenfeldern (10) zum jeweiligen Ausgeben von x-Bit-Daten, wenn n Wortleitungen (WL1, WL2) und m Spaltenauswahlsignalleitungen (ECSL1, ESCL2, OCSL1, OCSL2) ausgewählt sind, wobei n, m und x ganze Zahlen größer als eins sind, gekennzeichnet durch – einen Testdatenschreibschritt mit Erweitern von y-Bit-Daten, die über y Dateneingabe-/Datenausgabeanschlüsse (DQ1 bis DQ16) empfangen werden, auf (nm·x)-Bit-Daten und Schreiben der x-Bit-Daten in die nm-Speicherzellenfelder (10) und – einen Testdatenleseschritt zum Vergleichen der von den nm-Speicherzellenfeldern (10) ausgegebenen x-Bit-Daten, um nm-Bit-Vergleichsergebnisdaten zu erzeugen, und jeweiliges Ausgeben von ausgewählten der y-Bit-Vergleichsergebnisdaten, die aus den nm-Bit-Vergleichsergebnisdaten in Einheiten von y Bits ausgewählt werden, zu den jeweiligen y Dateneingabe-/Datenausgabeanschlüssen (DQ1 bis DQ16) in Reaktion auf ein Steuersignal (CON). |
