| 摘要 |
본 발명은 소비 전력이 낮으며 점유 면적이 작은 반도체 장치 또는 기억 장치를 제공한다. 센스앰프와 메모리 셀을 갖는 반도체 장치이다. 메모리 셀은 센스앰프 위에 제공된다. 센스앰프는 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터를 갖는다. 메모리 셀은 제 3 트랜지스터 및 용량 소자를 갖는다. 제 1 트랜지스터는 p채널형 트랜지스터이고, 제 2 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터는 채널 형성 영역에 산화물 반도체를 갖는다. 제 3 트랜지스터는 용량 소자 위에 제공되는 것이 바람직하다. |
