| 发明名称 | ZnO掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相变存储薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了ZnO掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(ZnO)<sub>x</sub>(GST)<sub>100‑x</sub>，其中0<x≤20.1at%，具体制备步骤如下：在磁控溅射镀膜系统中，采用石英片或氧化硅片为衬底，将ZnO靶材安装在磁控直流溅射靶中，将GST靶材安装在磁控射频溅射靶中，将溅射腔室进行抽真空直至1.6×10<sup>‑4</sup>Pa，然后通入高纯氩气直气压0.3Pa，控制ZnO靶的溅射功率为0‑20W，GST靶为70W，于室温下溅射镀膜200秒；将薄膜样品放入快速退火炉中，进行退火，即得到热处理后的ZnO掺杂GST相变存储薄膜材料，优点是晶态电阻大，结晶温度高，热稳定性好，寿命长，低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN106384783A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201610836230.0 | 申请日期 | 2016.09.21 |
| 申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 王正来;王国祥;王慧;沈祥;谷婷;吕业刚;陈飞飞 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C30/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 何仲 |
| 主权项 | 一种ZnO掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相变存储薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为(ZnO)<sub>x</sub>(Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>)<sub>100‑x</sub>，其中0<x≤20.1at%。 | ||
| 地址 | 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 | ||