| 摘要 |
기판 위의 결함의 존재 및 위치를 검출하는 방법이 개시된다. 실시예에서, 방법은, 에피텍셜 성장 프로세스를 사용하여 기준 웨이퍼에서의 복수의 개구들에 반도체 재료를 형성하는 단계; 베이스라인 신호를 얻도록 기준 웨이퍼에 대해 하나 이상의 측정을 수행하는 단계; 복수의 기판들에 복수의 게이트 스택들 및 스트레서 영역들을 형성하는 단계; 복수의 게이트 스택들을 형성한 후에, 배치 웨이퍼에서의 복수의 개구들에 반도체 재료를 형성하는 단계; 배치 신호를 얻도록 배치 웨이퍼에 대해 하나 이상의 측정을 수행하는 단계; 배치 신호를 베이스라인 신호와 비교하는 단계; 및 비교에 기초하여 복수의 기판들 위에 결함이 존재하는지 여부를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. |
