| 发明名称 | 像素结构、像素电极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种像素结构、像素电极及其制备方法。该像素结构，包括：像素电极，所述像素电极包括磷烯电极。本发明提供的像素结构不但机械强度高柔韧性好而且方块电阻小。该像素结构可应用于柔性显示。 | ||
| 申请公布号 | CN106384566A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201610829346.1 | 申请日期 | 2016.09.18 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 杨久霞;白峰;刘建涛 |
| 分类号 | G09F9/30(2006.01)I;H01B1/12(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G09F9/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 滕一斌 |
| 主权项 | 一种像素结构，包括：像素电极，其特征在于，所述像素电极包括磷烯电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||