一种GaN基发光二极管结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基发光二极管结构，包括衬底、n型GaN导电层、n型AlGaN限制层、有源区发光层、p型AlGaN限制层、p电极和n电极，其中：在所述p型AlGaN限制层的上表面或下表面沉积有一层p型金刚石薄膜导电层，所述p型金刚石薄膜导电层的横截面积大小与p型AlGaN限制层的大小相同，厚度为50‑500nm。本发明的金刚石薄膜对全波段光的吸收作用很弱，减小了吸光问题，可以有效提高LED的出光效率；金刚石的禁带宽度较大，对电子的反射作用强，能够减小电子泄露，提高亮度；p型金刚石薄膜掺杂容易，空穴浓度较高，易于制备欧姆接触。

主权项

一种GaN基发光二极管结构，包括衬底、n型GaN导电层、n型AlGaN限制层、有源区发光层、p型AlGaN限制层、p电极和n电极，其特征在于，在所述p型AlGaN限制层的上表面或下表面沉积有一层p型金刚石薄膜导电层，厚度为50‑500nm。