发明名称 发光器件的制造方法
摘要 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括:具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构;位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层;位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁;穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层;以及导电衬底,在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。
申请公布号 CN102738342B 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201210086655.6 申请日期 2012.03.28
申请人 三星电子株式会社 发明人 白好善;金学焕;吴承璟
分类号 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/36(2010.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 陈源;张天舒
主权项 一种制造发光器件的方法,该方法包括步骤:在衬底上形成多个绝缘壁;在由所述多个绝缘壁限定的内部空间中形成化合物半导体结构和P型电极层;在所述多个绝缘壁中形成对应的多个N型电极层;以及附接导电衬底,在所述导电衬底中多个N型电极连接层与P型电极连接层分开,其中,所述附接所述导电衬底的步骤包括步骤:穿透所述导电衬底以形成多个孔;以及用绝缘材料填充所述多个孔中的每一个并且形成将所述P型电极连接层与所述多个N型电极连接层分开的多个隔墙。
地址 韩国京畿道