| 摘要 |
본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는, 가변 저항 소자의 특성 향상이 가능한 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치의 제조 방법으로서, 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판에 복수의 매립게이트를 형성하는 단계; 상기 제2영역의 기판 상에 이온주입배리어층을 형성하는 단계; 상기 제1영역 및 제2영역의 상기 복수의 매립게이트들 사이의 기판에 이온주입을 진행하여 정션을 형성하는 단계; 상기 이온주입배리어층을 제거하는 단계; 상기 제1영역 및 제2영역의 기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 제1영역의 층간절연층을 관통하여 상기 기판에 접하는 하부전극콘택을 형성하는 단계; 및 상기 제1영역의 층간절연층 상에 상기 하부전극콘택과 연결되는 가변저항소자를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 매립게이트들 사이의 간격이 상기 제1영역보다 상기 제2영역에서 더 크도록 형성될 수 있다. 상술한 본 발명의 실시예들에 의한 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치 제조 방법에 의하면, 가변 저항 소자의 특성 향상이 가능하다. |
