| 摘要 |
본 발명의 드라이 에칭 방법은, 기판상에 형성되어 있는, 실리콘층과 절연층이 적층되어 있는 층 형상 구조를 가지는 적층막에 있어서, 기판면에 수직 방향으로 형성되어 있는 구멍 또는 홈의 내측면에 나타나있는 실리콘층에 대해, 에칭 가스를 이용하여 에칭할 때, 에칭 가스로서, ClF, BrF, BrF, IF, IF로부터 선택되는 적어도 1종류의 가스와 F를 함유하는 가스를 이용하는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 실리콘층의 드라이 에칭 깊이의 불균일화를 억제할 수 있다. |
