发明名称 APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
摘要 플라즈마 화학 기상 증착 공정시 아킹 발생을 방지할 수 있도록, 진공의 공간을 형성하며 소재에 대한 증착이 이루어지는 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되고 플라즈마를 형성하여 증착 물질을 소재에 플라즈마 화학 기상 증착시키기 위한 적어도 하나 이상의 플라즈마 소스, 및 상기 챔버 내부에 상기 플라즈마 소스와 이웃하여 배치되어 소재 표면을 향해 이온 빔을 가하는 적어도 하나 이상의 이온빔 소스를 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
申请公布号 KR20170013769(A) 申请公布日期 2017.02.07
申请号 KR20150106883 申请日期 2015.07.28
申请人 한국기계연구원 发明人 김도근;이승훈;정성훈;김병준
分类号 C23C16/50;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/509 主分类号 C23C16/50
代理机构 代理人
主权项
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