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본 발명은 작은 면적을 차지하고 집적도가 높은 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는 제 1 절연층, 도전층, 및 제 2 절연층을 포함한다. 도전층은 제 1 절연층과 제 2 절연층 사이에 있다. 제 1 절연층, 도전층, 및 제 2 절연층은 영역에서 서로 중첩된다. 콘택트 플러그는 제 1 절연층, 도전층, 및 제 2 절연층을 관통한다. 제 2 절연층으로부터 제 1 절연층으로의 깊이 방향에서, 콘택트 플러그의 직경은 제 2 절연층과 도전층 사이의 계면에서 더 작은 값으로 변화한다. |
