| 摘要 |
고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 챔버 인클로저, 하부 전극, 상부 전극, 가스 주입구, 및 가스 배출구를 포함하는 플라즈마 처리 챔버가 제공된다. 고주파수 무선 주파수 (RF) 전원은 상부 전극 또는 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속된다. 바이어스 전력 시스템은 상부 전극과 하부 전극 양방 모두에 전기적으로 접속되며, 바이어스 전력 시스템은 상부 전극과 하부 전극에 적어도 500 볼트의 크기를 갖는 바이어스를 제공할 수 있고, 하부 전극으로의 바이어스는 단속적으로 펄스화된다. 가스 소스는 가스 주입구와 유체 연결된다. 제어기는 가스 소스, 고주파수 RF 전원, 및 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속된다. |
